C6D06065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 393pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.70 грн |
| 10+ | 162.60 грн |
| 100+ | 131.50 грн |
| 500+ | 109.70 грн |
| 1000+ | 93.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D06065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVQFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 393pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 21A, Supplier Device Package: 4-QFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D06065Q-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
C6D06065Q-TR | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C6D06065Q-TR |
|
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)