Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D08065E Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 518pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 29A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D08065E за ціною від 107.66 грн до 336.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C6D08065E | Wolfspeed |
 Diode Schottky SiC 650V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C6D08065E | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 518pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C6D08065E | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes 650V 8A Gen6 |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C6D08065E |
|
Виробник: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Diode Schottky SiC 650V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3600+ | 160.58 грн |
| C6D08065E |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 518pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 518pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 336.31 грн |
| 75+ | 151.75 грн |
| 150+ | 143.80 грн |
| 525+ | 116.63 грн |
| 1050+ | 108.71 грн |
| 2025+ | 107.66 грн |