C6D10065E-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 384.35 грн |
| 10+ | 246.62 грн |
| 100+ | 176.46 грн |
| 500+ | 137.52 грн |
| 1000+ | 130.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D10065E-TR Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D10065E-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
C6D10065E-TR | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C6D10065E-TR |
|
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)