C6D10065E-TR Wolfspeed
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 378.45 грн |
| 10+ | 279.36 грн |
| 100+ | 173.94 грн |
| 500+ | 144.58 грн |
| 1000+ | 142.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D10065E-TR Wolfspeed
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D10065E-TR за ціною від 133.37 грн до 393.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C6D10065E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C6D10065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
C6D10065E-TR |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
C6D10065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
C6D10065E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |