C6D10065E
Код товару: 211497
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції C6D10065E за ціною від 129.35 грн до 381.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C6D10065E | Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C6D10065E | Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C6D10065E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO252-2 Power dissipation: 43W Manufacturer series: C6D Max. forward impulse current: 68A Max. forward voltage: 1.6V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C6D10065E | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes 650V 10A Gen6 |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C6D10065E | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 3226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| C6D10065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 193.40 грн |
| C6D10065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 193.40 грн |
| C6D10065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
Max. forward impulse current: 68A
Max. forward voltage: 1.6V
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
Max. forward impulse current: 68A
Max. forward voltage: 1.6V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 338.48 грн |
| C6D10065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes 650V 10A Gen6
SiC Schottky Diodes 650V 10A Gen6
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 374.53 грн |
| 10+ | 189.65 грн |
| 75+ | 150.25 грн |
| 525+ | 137.79 грн |
| 1050+ | 131.20 грн |
| C6D10065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 381.10 грн |
| 75+ | 175.44 грн |
| 150+ | 166.58 грн |
| 525+ | 135.88 грн |
| 1050+ | 129.35 грн |





