C6D10065G-TR Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.88 грн
10+244.76 грн
50+192.07 грн
100+164.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C6D10065G-TR Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 36A, Supplier Device Package: TO-263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції C6D10065G-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C6D10065G-TR C6D10065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR C6D10065G-TR Wolfspeed Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf SiC Schottky Diodes Gen 6 650V 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR C6D10065G-TR Wolfspeed wolfspeed_c6d10065g_data_sheet.pdf Diode Schottky SiC 650V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes Gen 6 650V 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR wolfspeed_c6d10065g_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.