C6D10065Q-TR Wolfspeed
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 378.45 грн |
| 10+ | 279.36 грн |
| 100+ | 173.94 грн |
| 500+ | 144.58 грн |
| 1000+ | 142.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D10065Q-TR Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVQFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: 4-QFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D10065Q-TR за ціною від 133.37 грн до 393.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 39A Supplier Device Package: 4-QFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 39A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed |
650 V Silicon Carbide Schottky Barrier diode in low profile QFN package |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 39A Supplier Device Package: 4-QFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |