C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.03 грн |
| 10+ | 259.89 грн |
| 100+ | 185.96 грн |
| 500+ | 144.91 грн |
| 1000+ | 137.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVQFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: 4-QFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D10065Q-TR за ціною від 135.13 грн до 453.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 39A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed |
650 V Silicon Carbide Schottky Barrier diode in low profile QFN package |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed |
650 V Silicon Carbide Schottky Barrier diode in low profile QFN package |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
C6D10065Q-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 39A Supplier Device Package: 4-QFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |