C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 384.35 грн |
| 10+ | 246.62 грн |
| 100+ | 176.46 грн |
| 500+ | 137.52 грн |
| 1000+ | 130.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVQFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: 4-QFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C6D10065Q-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
C6D10065Q-TR | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C6D10065Q-TR |
|
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)