
CAB008M12GM3T Wolfspeed

Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 19074.17 грн |
18+ | 18781.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CAB008M12GM3T Wolfspeed
Description: 8M, 1200V, SIC MODULE, 48MM, HAL, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 10mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Інші пропозиції CAB008M12GM3T за ціною від 15988.21 грн до 20577.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CAB008M12GM3T | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 10mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
CAB008M12GM3T | Виробник : MACOM |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|