CAS120M12BM2


Код товару: 148154
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CAS120M12BM2 за ціною від 42667.91 грн до 55475.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 Wolfspeed cas120m12bm2.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46315.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 Wolfspeed cas120m12bm2.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 7-Pin Box
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51146.67 грн
10+49250.50 грн
25+48758.30 грн
50+46546.86 грн
100+42667.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 Wolfspeed cas120m12bm2.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55475.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 Wolfspeed Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 WOLFSPEED CREE-S-A0011537106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - CAS120M12BM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 cas120m12bm2.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+46315.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 cas120m12bm2.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 7-Pin Box
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+51146.67 грн
10+49250.50 грн
25+48758.30 грн
50+46546.86 грн
100+42667.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 cas120m12bm2.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+55475.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CREE-S-A0011537106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - CAS120M12BM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.