CAS120M12BM2
Код товару: 148154
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції CAS120M12BM2 за ціною від 33419.44 грн до 33419.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAS120M12BM2 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 925W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6470pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ) Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
CAS120M12BM2 | Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CAS120M12BM2 |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 925W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6470pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 925W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6470pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33419.44 грн |
| CAS120M12BM2 |
|
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)