Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CAS350M12BM3 Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - CAS350M12BM3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 417 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 417A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції CAS350M12BM3 за ціною від 52160.25 грн до 52160.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CAS350M12BM3 | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - CAS350M12BM3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 417 A, 1.2 kV, 4000 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 417A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
CAS350M12BM3 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 417APart Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box |
товару немає в наявності |


