на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 66945.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CAS350M12BM3 Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - CAS350M12BM3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 417A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції CAS350M12BM3 за ціною від 69998.12 грн до 69998.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAS350M12BM3 | Виробник : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - CAS350M12BM3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 417A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
CAS350M12BM3 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC 2N-CH 1200V 417A Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA Part Status: Active |
товару немає в наявності |