CBB021M12FM3T Wolfspeed
Виробник: WolfspeedDiscrete Semiconductor Modules SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8208.38 грн |
| 10+ | 7170.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CBB021M12FM3T Wolfspeed
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 50A, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.9mOhm @ 30A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 17mA.
Інші пропозиції CBB021M12FM3T за ціною від 6849.32 грн до 8697.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CBB021M12FM3T | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 50A Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.9mOhm @ 30A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 17mA |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|