CCB016M12GM3 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.8mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 23mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14461.08 грн |
| 18+ | 12369.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CCB016M12GM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 10mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.8mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 23mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції CCB016M12GM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CCB016M12GM3 | Виробник : Wolfspeed |
1200V Silicon Carbide half-bridge power module with the highest usable ampacity in the industry |
товару немає в наявності |
|
| CCB016M12GM3 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin |
товару немає в наявності |
||
 |
CCB016M12GM3 | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SiC, Module, 16mohm,1200V, 48 mm, GM3 Six-Pack, Industrial |
товару немає в наявності |