CCS050M12CM2

CCS050M12CM2 Wolfspeed / Cree


sic-power-modules Виробник: Wolfspeed / Cree
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 50A, SiC Six pack Module
на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CCS050M12CM2 Wolfspeed / Cree

Description: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 337W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції CCS050M12CM2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CCS050M12CM2 CCS050M12CM2 Виробник : Wolfspeed, Inc. sic-power-modules Description: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 337W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній