CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: CST2C, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V.

Інші пропозиції CCS15S30,L3F за ціною від 4.96 грн до 25.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CCS15S30,L3F CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 38695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.66 грн
100+8.91 грн
500+7.41 грн
1000+5.77 грн
2000+5.16 грн
5000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CCS15S30,L3F CCS15S30,L3F Toshiba 8BA08FB12E3C057FC1F45F7D86B590ED0DC94C70FDFC51719616274928C75810.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V Schottky Barrier Diode
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CCS15S30,L3F CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 38695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
18+17.66 грн
100+8.91 грн
500+7.41 грн
1000+5.77 грн
2000+5.16 грн
5000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CCS15S30,L3F 8BA08FB12E3C057FC1F45F7D86B590ED0DC94C70FDFC51719616274928C75810.pdf
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Schottky Barrier Diode
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.