Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CCSPG1510N TR PBFREE
CCSPG1510N TR PBFREE

CCSPG1510N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

CCSPG1510N_.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: SURFACE MOUNT MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-CSP (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+319.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CCSPG1510N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: SURFACE MOUNT MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 25-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-CSP (4x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.

Інші пропозиції CCSPG1510N TR PBFREE за ціною від 353.25 грн до 626.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CCSPG1510N TR PBFREE CCSPG1510N TR PBFREE Central Semiconductor Corp CCSPG1510N_.PDF Description: SURFACE MOUNT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-CSP (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.90 грн
10+496.97 грн
100+414.06 грн
500+353.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CCSPG1510N TR PBFREE CCSPG1510N TR PBFREE Central Semiconductor CCSPG1510N.pdf GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CCSPG1510N TR PBFREE CCSPG1510N_.PDF
CCSPG1510N TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: SURFACE MOUNT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-CSP (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+626.90 грн
10+496.97 грн
100+414.06 грн
500+353.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CCSPG1510N TR PBFREE CCSPG1510N.pdf
CCSPG1510N TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.