Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > CDBJFSC101200-G
CDBJFSC101200-G

CDBJFSC101200-G Comchip Technology

QW_BSC14_CDBJFSC101200_G_RevB-2506355.pdf
Виробник: Comchip Technology
SiC Schottky Diodes SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+964.87 грн
10+845.50 грн
50+546.06 грн
1000+523.28 грн
2500+507.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CDBJFSC101200-G Comchip Technology

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220F, Supplier Device Package: TO-220F, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C.

Інші пропозиції CDBJFSC101200-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CDBJFSC101200-G CDBJFSC101200-G Comchip Technology CDBJFSC101200-G493296.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDBJFSC101200-G CDBJFSC101200-G493296.pdf
CDBJFSC101200-G
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.