CDBJFSC101200-G Comchip Technology
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1028.24 грн |
| 10+ | 901.03 грн |
| 50+ | 581.92 грн |
| 1000+ | 557.65 грн |
| 2500+ | 540.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDBJFSC101200-G Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції CDBJFSC101200-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CDBJFSC101200-G | Виробник : Comchip Technology |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |