CDBJFSC101200-G Comchip Technology
Виробник: Comchip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 897.21 грн |
| 50+ | 699.3 грн |
| 100+ | 658.18 грн |
| 500+ | 559.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDBJFSC101200-G Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції CDBJFSC101200-G за ціною від 568.76 грн до 961.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CDBJFSC101200-G | Виробник : Comchip Technology |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|