Технічний опис CDBJFSC3650-G Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції CDBJFSC3650-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CDBJFSC3650-G | Comchip Technology |
 Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| CDBJFSC3650-G |
|
Виробник: Comchip Technology
Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)