
CDBJSC5650-G Comchip Technology
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 36.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDBJSC5650-G Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 430pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції CDBJSC5650-G за ціною від 128.12 грн до 288.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CDBJSC5650-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 430pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
CDBJSC5650-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
CDBJSC5650-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
CDBJSC5650-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |