
CDF56G6511N TR13 PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 372.27 грн |
10+ | 286.09 грн |
100+ | 179.21 грн |
500+ | 173.91 грн |
1000+ | 164.84 грн |
2500+ | 148.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDF56G6511N TR13 PBFREE Central Semiconductor
Description: 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 84W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V.
Інші пропозиції CDF56G6511N TR13 PBFREE за ціною від 154.16 грн до 375.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CDF56G6511N TR13 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -1.4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CDF56G6511N TR13 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -1.4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |