Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CDF56G6511N TR13 PBFREE
CDF56G6511N TR13 PBFREE

CDF56G6511N TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp

CDF56G6511N.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.30 грн
10+271.87 грн
100+195.30 грн
500+166.28 грн
1000+146.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CDF56G6511N TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 84W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V.

Інші пропозиції CDF56G6511N TR13 PBFREE за ціною від 155.00 грн до 374.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CDF56G6511N TR13 PBFREE CDF56G6511N TR13 PBFREE Виробник : Central Semiconductor CDF56G6511N-3366824.pdf GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.23 грн
10+299.56 грн
25+259.77 грн
100+205.23 грн
500+184.42 грн
1000+159.31 грн
2500+155.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDF56G6511N TR13 PBFREE CDF56G6511N TR13 PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp CDF56G6511N.PDF Description: 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.