CDM22011-600LRFP SL Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.05 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.54 грн |
| 50+ | 91.82 грн |
| 100+ | 83.70 грн |
| 500+ | 64.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDM22011-600LRFP SL Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.05 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): 30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції CDM22011-600LRFP SL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CDM22011-600LRFP SL | Central Semiconductor |
MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CDM22011-600LRFP SL |
|
Виробник: Central Semiconductor
MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)