CDMSJ22010-650 SL Central Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.09 грн |
| 10+ | 205.90 грн |
| 50+ | 118.68 грн |
| 100+ | 105.64 грн |
| 500+ | 83.69 грн |
| 1000+ | 76.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDMSJ22010-650 SL Central Semiconductor
Description: SUPER JUNCTION MOSFETS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V.
Інші пропозиції CDMSJ22010-650 SL за ціною від 83.03 грн до 222.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CDMSJ22010-650 SL | Виробник : Central Semiconductor Corp |
 Description: SUPER JUNCTION MOSFETSPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|