CDMSJ22013.8-650 SL Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor CorpDescription: SUPER JUNCTION MOSFETS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.24 грн |
| 50+ | 163.37 грн |
| 100+ | 140.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDMSJ22013.8-650 SL Central Semiconductor Corp
Description: SUPER JUNCTION MOSFETS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V.
Інші пропозиції CDMSJ22013.8-650 SL за ціною від 102.62 грн до 232.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CDMSJ22013.8-650 SL | Виробник : Central Semiconductor |
MOSFETs 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|