CE3512K2-C1 CEL
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 55.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CE3512K2-C1 CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.7dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції CE3512K2-C1 за ціною від 56.19 грн до 115.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CE3512K2-C1 | CEL |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-Micro-X Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Power - Output: 125mW Gain: 13.7dB Technology: pHEMT FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: 4-Micro-X Part Status: Active Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 20323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CE3512K2-C1 | CEL |
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C |
на замовлення 8092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CE3512K2-C1 |
|
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 20323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.51 грн |
| 10+ | 81.44 грн |
| 25+ | 74.02 грн |
| 100+ | 61.80 грн |
| 250+ | 58.15 грн |
| 500+ | 56.19 грн |
| CE3512K2-C1 |
|
Виробник: CEL
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)