CE3512K2-C1 CEL
Виробник: CELDescription: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 56.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CE3512K2-C1 CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.7dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції CE3512K2-C1 за ціною від 55.25 грн до 167.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CE3512K2-C1 | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-Micro-X Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Power - Output: 125mW Gain: 13.7dB Technology: pHEMT FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: 4-Micro-X Part Status: Active Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 20541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CE3512K2-C1 | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C |
на замовлення 29515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CE3512K2-C1 | Виробник : CEL |
Транз. Пол. СВЧ 4-Micro-X 12 GHz Super Low Noise FET |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
CE3512K2-C1 | Виробник : California Eastern Labs |
Trans RF FET N-CH 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R |
товару немає в наявності |