CE3512K2 CEL
Виробник: CELDescription: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Strip
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.35 грн |
| 10+ | 113.68 грн |
| 25+ | 107.20 грн |
| 200+ | 85.71 грн |
| 400+ | 80.48 грн |
| 600+ | 70.42 грн |
| 1000+ | 57.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CE3512K2 CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Strip, Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.7dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції CE3512K2 за ціною від 68.27 грн до 165.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CE3512K2 | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CE3512K2 | Виробник : California Eastern Laboratories |
Trans RF FET 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R |
товару немає в наявності |