Продукція > CEL > CE3512K2
CE3512K2

CE3512K2 CEL

CE3512K2.pdf
Виробник: CEL
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
на замовлення 713 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.54 грн
10+109.65 грн
100+78.08 грн
500+76.58 грн
1000+74.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CE3512K2 CEL

CE3512K2 RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X Транзистори.

Інші пропозиції CE3512K2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CE3512K2 California Eastern Labora CE3512K2 RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3512K2 CE3512K2 California Eastern Laboratories ce3512k2.pdf Trans RF FET 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CE3512K2
Виробник: California Eastern Labora
CE3512K2 RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3512K2 ce3512k2.pdf
CE3512K2
Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF FET 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.