Продукція > CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES > CE3520K3-C1
CE3520K3-C1

CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories

ce3520k3.pdf Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+95.96 грн
135+94.83 грн
148+86.60 грн
250+81.54 грн
500+73.20 грн
1000+65.86 грн
3000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.8dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.8dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції CE3520K3-C1 за ціною від 69.25 грн до 180.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.96 грн
10+102.82 грн
25+101.60 грн
100+89.48 грн
250+80.89 грн
500+75.29 грн
1000+70.57 грн
3000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.8dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.8dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.76 грн
10+119.48 грн
25+109.03 грн
100+91.57 грн
250+86.43 грн
500+83.33 грн
1000+79.46 грн
2500+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
на замовлення 7737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.02 грн
10+119.51 грн
100+88.96 грн
500+85.02 грн
1000+80.30 грн
2500+77.86 грн
10000+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Labs ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.8dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.8dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.