CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 75.93 грн |
| 172+ | 75.44 грн |
| 181+ | 71.61 грн |
| 250+ | 68.26 грн |
| 500+ | 62.06 грн |
| 1000+ | 56.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.8dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.8dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції CE3520K3-C1 за ціною від 60.41 грн до 159.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CE3520K3-C1 | Виробник : California Eastern Laboratories |
 Trans RF MOSFET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CE3520K3-C1 | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-Micro-X Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 20GHz Power - Output: 125mW Gain: 13.8dB Technology: pHEMT FET Noise Figure: 0.8dB Supplier Device Package: 4-Micro-X Part Status: Active Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CE3520K3-C1 | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CE3520K3-C1 | Виробник : California Eastern Laboratories |
Trans RF MOSFET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CE3520K3-C1 | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-Micro-X Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 20GHz Power - Output: 125mW Gain: 13.8dB Technology: pHEMT FET Noise Figure: 0.8dB Supplier Device Package: 4-Micro-X Part Status: Active Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |