Продукція > CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES > CE3520K3-C1
CE3520K3-C1

CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories

ce3520k3.pdf Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.8dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.8dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції CE3520K3-C1 за ціною від 51.25 грн до 223.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.64 грн
100+122.18 грн
122+100.50 грн
250+89.37 грн
500+74.85 грн
1000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+137.89 грн
10+114.81 грн
25+113.45 грн
100+89.99 грн
250+76.84 грн
500+66.72 грн
1000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.8dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.8dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.16 грн
10+113.65 грн
25+103.73 грн
100+87.11 грн
250+82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3-3412776.pdf RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.16 грн
10+160.75 грн
100+105.94 грн
250+92.70 грн
500+89.02 грн
1000+78.72 грн
2500+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Транз. Пол. СВЧ 4-Micro-X 20 GHz Super Low Noise FET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Labs ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.8dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.8dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.