CE3520K3-C1

CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories


ce3520k3.pdf Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CE3520K3-C1 California Eastern Laboratories

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.8dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.8dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції CE3520K3-C1 за ціною від 55.06 грн до 171.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.34 грн
100+121.89 грн
122+100.26 грн
250+89.15 грн
500+74.67 грн
1000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+158.72 грн
10+132.15 грн
25+130.59 грн
100+103.59 грн
250+88.45 грн
500+76.80 грн
1000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.8dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.8dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.47 грн
10+116.01 грн
25+105.89 грн
100+88.92 грн
250+83.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3-3412776.pdf RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
на замовлення 10448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.72 грн
10+114.00 грн
100+84.86 грн
500+81.11 грн
1000+75.85 грн
2500+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Labs ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : California Eastern Laboratories ce3520k3.pdf Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3520K3-C1 CE3520K3-C1 Виробник : CEL CE3520K3_RevC_Jul2019.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.8dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.8dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.