Продукція > CEL > CE3521M4-C2
CE3521M4-C2

CE3521M4-C2 CEL


CE3521M4.pdf Виробник: CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 11.9dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 1.05dB
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 7192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.88 грн
10+84.37 грн
25+80.04 грн
100+61.71 грн
250+57.68 грн
500+50.98 грн
1000+39.58 грн
2500+36.95 грн
5000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CE3521M4-C2 CEL

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 11.9dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 1.05dB, Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції CE3521M4-C2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CE3521M4-C2 CE3521M4-C2 Виробник : CEL CE3521M4.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 11.9dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 1.05dB
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CE3521M4-C2 CE3521M4-C2 Виробник : CEL CE3521M4-3412801.pdf RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.