
CEDM8004VL TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT883VL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883VL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.44 грн |
15+ | 21.84 грн |
100+ | 13.12 грн |
500+ | 11.40 грн |
1000+ | 7.75 грн |
2000+ | 7.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CEDM8004VL TR PBFREE Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT883VL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883VL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): 8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V.
Інші пропозиції CEDM8004VL TR PBFREE
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CEDM8004VL TR PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
CEDM8004VL TR PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883VL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |