CG2H30070F MACOM Technology Solutions
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 120 V
Supplier Device Package: 440224
Technology: GaN HEMT
Gain: 12dB
Power - Output: 75W
Frequency: 0Hz ~ 4GHz
Package / Case: 440224
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 39275.50 грн |
| 10+ | 33088.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CG2H30070F MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224, Current - Test: 1 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 120 V, Supplier Device Package: 440224, Technology: GaN HEMT, Gain: 12dB, Power - Output: 75W, Frequency: 0Hz ~ 4GHz, Package / Case: 440224, Packaging: Tray.
Інші пропозиції CG2H30070F за ціною від 56918.40 грн до 56918.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CG2H30070F | MACOM |
GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| CG2H30070F | MACOM |
Trans RF MOSFET N-CH 120V 12A 3-PinCase 440224 |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CG2H30070F |
|
Виробник: MACOM
GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CG2H30070F |
|
Виробник: MACOM
Trans RF MOSFET N-CH 120V 12A 3-PinCase 440224
Trans RF MOSFET N-CH 120V 12A 3-PinCase 440224
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 56918.40 грн |