Продукція > MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS > CG2H30070F
CG2H30070F

CG2H30070F MACOM Technology Solutions

CG2H30070F.pdf
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 120 V
Supplier Device Package: 440224
Technology: GaN HEMT
Gain: 12dB
Power - Output: 75W
Frequency: 0Hz ~ 4GHz
Package / Case: 440224
Packaging: Tray
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39002.54 грн
10+32858.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CG2H30070F MACOM Technology Solutions

Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224, Current - Test: 1 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 120 V, Supplier Device Package: 440224, Technology: GaN HEMT, Gain: 12dB, Power - Output: 75W, Frequency: 0Hz ~ 4GHz, Package / Case: 440224, Packaging: Tray.

Інші пропозиції CG2H30070F за ціною від 35015.40 грн до 40602.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CG2H30070F CG2H30070F MACOM CG2H30070F.pdf GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40602.52 грн
10+35015.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CG2H30070F CG2H30070F.pdf
CG2H30070F
Виробник: MACOM
GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+40602.52 грн
10+35015.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.