Продукція > MACOM > CG2H40010P
CG2H40010P

CG2H40010P MACOM


CG2H40010.pdf
Виробник: MACOM
GaN FETs 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8740.22 грн
10+7167.07 грн
80+5164.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CG2H40010P MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196, Packaging: Tray, Package / Case: 440196, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 8GHz, Power - Output: 10W, Gain: 16.7dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 440196, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 200 mA.

Інші пропозиції CG2H40010P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CG2H40010P CG2H40010P Виробник : MACOM Technology Solutions Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196
Packaging: Tray
Package / Case: 440196
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 8GHz
Power - Output: 10W
Gain: 16.7dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 440196
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.