Продукція > MACOM > CG2H40010P
CG2H40010P

CG2H40010P MACOM

CG2H40010.pdf
Виробник: MACOM
GaN FETs 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8676.55 грн
10+7114.86 грн
80+5127.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CG2H40010P MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196, Packaging: Tray, Package / Case: 440196, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 8GHz, Power - Output: 10W, Gain: 16.7dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 440196, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 200 mA.

Інші пропозиції CG2H40010P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CG2H40010P CG2H40010P MACOM Technology Solutions Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196
Packaging: Tray
Package / Case: 440196
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 8GHz
Power - Output: 10W
Gain: 16.7dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 440196
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG2H40010P
CG2H40010P
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196
Packaging: Tray
Package / Case: 440196
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 8GHz
Power - Output: 10W
Gain: 16.7dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 440196
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.