Продукція > MACOM > CG2H40010P
CG2H40010P

CG2H40010P MACOM

CG2H40010.pdf
Виробник: MACOM
GaN FETs 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CG2H40010P MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196, Packaging: Tray, Package / Case: 440196, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 8GHz, Power - Output: 10W, Gain: 16.7dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 440196, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 200 mA.

Інші пропозиції CG2H40010P за ціною від 11772.11 грн до 11772.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CG2H40010P MACOM Trans RF MOSFET N-CH 120V 1.5A 3-PinCase 440196
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11772.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG2H40010P
Виробник: MACOM
Trans RF MOSFET N-CH 120V 1.5A 3-PinCase 440196
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+11772.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.