Продукція > MACOM > CG2H80015D-GP4
CG2H80015D-GP4

CG2H80015D-GP4 MACOM


CG2H80015D-3450231.pdf Виробник: MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+11065.14 грн
30+10557.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CG2H80015D-GP4 MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V DIE, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Frequency: 8GHz, Power - Output: 15W, Gain: 17dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: Die, Voltage - Rated: 84 V, Voltage - Test: 28 V.

Інші пропозиції CG2H80015D-GP4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CG2H80015D-GP4 Виробник : Wolfspeed cg2h80015d.pdf Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG2H80015D-GP4 CG2H80015D-GP4 Виробник : MACOM Technology Solutions CG2H80015D.pdf Description: RF MOSFET HEMT 28V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Frequency: 8GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: Die
Voltage - Rated: 84 V
Voltage - Test: 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.