CGD65B130SH2

CGD65B130SH2 Cambridge GaN Devices


product-CGD65B130SH2 Виробник: Cambridge GaN Devices
Description: 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 4.2mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): +20V, -1V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 12 V
на замовлення 4953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.79 грн
10+301.21 грн
100+226.44 грн
500+193.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CGD65B130SH2 Cambridge GaN Devices

Description: 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 900mA, 12V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 4.2mA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): +20V, -1V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 12 V.

Інші пропозиції CGD65B130SH2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CGD65B130SH2 CGD65B130SH2 Виробник : Cambridge GaN Devices product-CGD65B130SH2 Description: 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 4.2mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): +20V, -1V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.