Продукція > CAMBRIDGE GAN DEVICES > CGD65C025SP2
CGD65C025SP2

CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices

CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf
Виробник: Cambridge GaN Devices
Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1663.55 грн
10+1177.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices

Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Supplier Device Package: BHDFN-9-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції CGD65C025SP2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CGD65C025SP2 CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf
CGD65C025SP2
Виробник: Cambridge GaN Devices
Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.