CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices
Виробник: Cambridge GaN DevicesDescription: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1749.15 грн |
| 10+ | 1237.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices
Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA, Supplier Device Package: BHDFN-9-1, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції CGD65C025SP2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
CGD65C025SP2 | Виробник : Cambridge GaN Devices |
Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA Supplier Device Package: BHDFN-9-1 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товару немає в наявності |