Продукція > CAMBRIDGE GAN DEVICES > CGD65C025SP2
CGD65C025SP2

CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices

CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf
Виробник: Cambridge GaN Devices
Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1811.06 грн
10+1265.21 грн
50+1197.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices

Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA, Supplier Device Package: BHDFN-9-1, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.

Інші пропозиції CGD65C025SP2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 Cambridge GaN Devices CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CGD65C025SP2 CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf
CGD65C025SP2
Виробник: Cambridge GaN Devices
Description: 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 22mA
Supplier Device Package: BHDFN-9-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.