CGHV1F006S MACOM Technology Solutions
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6072.47 грн |
| 10+ | 4879.87 грн |
| 25+ | 4785.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CGHV1F006S MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 950mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 6GHz, Power - Output: 8W, Gain: 16dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 60 mA.
Інші пропозиції CGHV1F006S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| CGHV1F006S | Виробник : MACOM |
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
CGHV1F006S | Виробник : MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Current Rating (Amps): 950mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 6GHz Power - Output: 8W Gain: 16dB Technology: HEMT Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 40 V Current - Test: 60 mA |
товару немає в наявності |
|
 |
CGHV1F006S | Виробник : MACOM |
GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt |
товару немає в наявності |