CGHV1F025S MACOM Technology Solutions
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 0Hz ~ 15GHz
Power - Output: 29W
Gain: 11.6dBm
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 150 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9243.10 грн |
| 10+ | 7519.16 грн |
| 25+ | 7174.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CGHV1F025S MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 2A, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 0Hz ~ 15GHz, Power - Output: 29W, Gain: 11.6dBm, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції CGHV1F025S за ціною від 17033.49 грн до 17033.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CGHV1F025S | MACOM |
GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| CGHV1F025S | MACOM |
Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CGHV1F025S |
|
Виробник: MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CGHV1F025S |
|
Виробник: MACOM
Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP
Trans RF MOSFET N-CH 120V 2A 12-Pin DFN EP
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 17033.49 грн |