на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14729.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CGHV1F025S MACOM
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 2A, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 0Hz ~ 15GHz, Power - Output: 29W, Gain: 11.6dBm, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції CGHV1F025S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CGHV1F025S | Виробник : MACOM Technology Solutions |
 Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Current Rating (Amps): 2A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 0Hz ~ 15GHz Power - Output: 29W Gain: 11.6dBm Technology: HEMT Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 40 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
CGHV1F025S | Виробник : MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Current Rating (Amps): 2A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 0Hz ~ 15GHz Power - Output: 29W Gain: 11.6dBm Technology: HEMT Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 40 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
|
 |
CGHV1F025S | Виробник : MACOM |
GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt |
товару немає в наявності |