Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CGHV1J070D-GP4 MACOM
Description: RF MOSFET HEMT 40V DIE, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Frequency: 18GHz, Power - Output: 70W, Gain: 17dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: Die, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 360 mA.
Інші пропозиції CGHV1J070D-GP4 за ціною від 11310.09 грн до 31277.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CGHV1J070D-GP4 | MACOM |
Trans RF MOSFET N-CH 120V 6A Bare Die Gel |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| CGHV1J070D-GP4 | MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 40V DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Frequency: 18GHz Power - Output: 70W Gain: 17dB Technology: HEMT Supplier Device Package: Die Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 40 V Current - Test: 360 mA |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CGHV1J070D-GP4 |
![]() |
Виробник: MACOM
Trans RF MOSFET N-CH 120V 6A Bare Die Gel
Trans RF MOSFET N-CH 120V 6A Bare Die Gel
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 11310.09 грн |
| CGHV1J070D-GP4 |
![]() |
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Frequency: 18GHz
Power - Output: 70W
Gain: 17dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: Die
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 360 mA
Description: RF MOSFET HEMT 40V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Frequency: 18GHz
Power - Output: 70W
Gain: 17dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: Die
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 360 mA
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31277.83 грн |



