Технічний опис CGHV96100F2 CREE
Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210, Current - Test: 1 A, Voltage - Test: 40 V, Voltage - Rated: 100 V, Supplier Device Package: 440210, Technology: HEMT, Gain: 10.2dB, Power - Output: 131W, Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz, Current Rating (Amps): 12A, Package / Case: 440210, Packaging: Tray.
Інші пропозиції CGHV96100F2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CGHV96100F2 | MACOM Technology Solutions |
 Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210Current - Test: 1 A Voltage - Test: 40 V Voltage - Rated: 100 V Supplier Device Package: 440210 Technology: HEMT Gain: 10.2dB Power - Output: 131W Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz Current Rating (Amps): 12A Package / Case: 440210 Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
CGHV96100F2 | MACOM |
GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| CGHV96100F2 |
|
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 40 V
Voltage - Rated: 100 V
Supplier Device Package: 440210
Technology: HEMT
Gain: 10.2dB
Power - Output: 131W
Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz
Current Rating (Amps): 12A
Package / Case: 440210
Packaging: Tray
Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 40 V
Voltage - Rated: 100 V
Supplier Device Package: 440210
Technology: HEMT
Gain: 10.2dB
Power - Output: 131W
Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz
Current Rating (Amps): 12A
Package / Case: 440210
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CGHV96100F2 |
|
Виробник: MACOM
GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.