Продукція > SAMSUNGEM > CIG21W2R2MNE
CIG21W2R2MNE

CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM

inductor-powerinductor.pdf Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R.

Інші пропозиції CIG21W2R2MNE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CIG21W2R2MNE CIG21W2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIG21W_ds.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 810MA 200MOHM SM
товар відсутній
CIG21W2R2MNE CIG21W2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIG21W_ds.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 810MA 200MOHM SM
товар відсутній
CIG21W2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIG21W_ds.pdf Samsung CIG,Power Inductor,0805,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
товар відсутній