CIG21W4R7MNE SAMSUNGEM
Виробник: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIG21W4R7MNE SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.3Ohm DCR 0805 T/R.
Інші пропозиції CIG21W4R7MNE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "CIG21W4R7MNE") |
CIG21W4R7MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 4.7UH 650MA 300 MOHM |
товар відсутній |
|
|
|
CIG21W4R7MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 4.7UH 650MA 300 MOHM |
товар відсутній |