CIGT201208EH1R0MNE Samsung Electro-Mechanics
Виробник: Samsung Electro-MechanicsDescription: FIXED IND 1UH 3.1A 55 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Thin Film
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 55mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.1 A
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.11 грн |
| 6000+ | 7.37 грн |
| 9000+ | 7.12 грн |
| 15000+ | 6.40 грн |
| 21000+ | 6.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIGT201208EH1R0MNE Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 55 MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 0805 (2012 Metric), Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Thin Film, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 55mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 3.2A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric), Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm), Part Status: Active, Inductance: 1 µH, Current Rating (Amps): 3.1 A.
Інші пропозиції CIGT201208EH1R0MNE за ціною від 7.19 грн до 24.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CIGT201208EH1R0MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 55 MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Thin Film Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 55mOhm Max Current - Saturation (Isat): 3.2A Material - Core: Metal Composite Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.1 A |
на замовлення 27719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CIGT201208EH1R0MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
RF Inductors - SMD CIGT,Thin Film,0805,1.0uH,0.8?,7 embossed,-20 20% |
на замовлення 14217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|