CIGT252010EH2R2MNE

CIGT252010EH2R2MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGT252010EH2R2MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Thin Film
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.4 A
на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.23 грн
6000+6.56 грн
9000+6.34 грн
15000+5.70 грн
21000+5.54 грн
30000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGT252010EH2R2MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Thin Film, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 80mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 2.7A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 2.2 µH, Current Rating (Amps): 2.4 A.

Інші пропозиції CIGT252010EH2R2MNE за ціною від 6.52 грн до 18.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CIGT252010EH2R2MNE CIGT252010EH2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGT252010EH2R2MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Thin Film
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.4 A
на замовлення 67132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.28 грн
29+11.32 грн
100+9.29 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CIGT252010EH2R2MNE CIGT252010EH2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems-s-a0003570302-1.pdf RF Inductors - SMD CIGT,Thin Film,1008,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 20353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.66 грн
24+15.00 грн
100+10.71 грн
250+10.40 грн
1000+7.84 грн
3000+7.06 грн
6000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.