CIGT252010EH2R2MNE

CIGT252010EH2R2MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGT252010EH2R2MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Thin Film
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.4 A
на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.6 грн
6000+ 6.16 грн
15000+ 5.96 грн
30000+ 5.41 грн
75000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGT252010EH2R2MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Thin Film, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 80mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 2.7A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 2.2 µH, Current Rating (Amps): 2.4 A.

Інші пропозиції CIGT252010EH2R2MNE за ціною від 5.58 грн до 18.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CIGT252010EH2R2MNE CIGT252010EH2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGT252010EH2R2MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Thin Film
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.4 A
на замовлення 81627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.53 грн
22+ 12.94 грн
25+ 11.93 грн
50+ 10.26 грн
100+ 9.05 грн
250+ 8.77 грн
500+ 7.71 грн
1000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 18
CIGT252010EH2R2MNE CIGT252010EH2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems_s_a0003570302_1-2288564.pdf RF Inductors - SMD CIGT,Thin Film,1008,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 48972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.06 грн
26+ 12.15 грн
100+ 8.1 грн
1000+ 6.58 грн
3000+ 5.91 грн
9000+ 5.71 грн
24000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 18