CIGW252010GL1R0MNE

CIGW252010GL1R0MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGW252010GL1R0MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.22 грн
6000+9.28 грн
9000+8.97 грн
15000+8.06 грн
21000+7.84 грн
30000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010GL1R0MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 40mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 3.7A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 1 µH, Current Rating (Amps): 3.3 A.

Інші пропозиції CIGW252010GL1R0MNE за ціною від 8.95 грн до 28.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CIGW252010GL1R0MNE CIGW252010GL1R0MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GL1R0MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
на замовлення 49009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
20+15.98 грн
100+13.14 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CIGW252010GL1R0MNE CIGW252010GL1R0MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems_s_a0002828018_1-2288866.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,1.0uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.68 грн
18+19.58 грн
100+12.99 грн
1000+10.49 грн
3000+9.54 грн
9000+9.25 грн
24000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CIGW252010GL1R0MNE CIGW252010GL1R0MNE Виробник : SAMSUNGEM cigw252010gl1r0mne.pdf Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.