CIGW252010GL1R5MNE

CIGW252010GL1R5MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGW252010GL1R5MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 54mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.1A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
на замовлення 161071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.75 грн
6000+8.85 грн
9000+8.55 грн
15000+7.69 грн
21000+7.47 грн
30000+7.25 грн
75000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010GL1R5MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 54mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 3.1A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 1.5 µH, Current Rating (Amps): 3.2 A.

Інші пропозиції CIGW252010GL1R5MNE за ціною від 8.95 грн до 28.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CIGW252010GL1R5MNE CIGW252010GL1R5MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GL1R5MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 54mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.1A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
на замовлення 161071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
20+15.29 грн
100+12.53 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CIGW252010GL1R5MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems_s_a0006918016_1-2288924.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,1.5uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 10131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.68 грн
18+19.58 грн
100+12.99 грн
1000+10.49 грн
3000+9.54 грн
9000+9.17 грн
24000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.