
CIGW252010GL1R5MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 54mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.1A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.25 грн |
6000+ | 9.31 грн |
9000+ | 8.99 грн |
15000+ | 8.08 грн |
21000+ | 7.86 грн |
30000+ | 7.62 грн |
75000+ | 7.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIGW252010GL1R5MNE Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 54mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 3.1A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 1.5 µH, Current Rating (Amps): 3.2 A.
Інші пропозиції CIGW252010GL1R5MNE за ціною від 8.98 грн до 28.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CIGW252010GL1R5MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 54mOhm Max Current - Saturation (Isat): 3.1A Material - Core: Metal Composite Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 3.2 A |
на замовлення 162194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CIGW252010GL1R5MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
![]() |
на замовлення 10131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|