CIGW252010GL2R2MNE

CIGW252010GL2R2MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGW252010GL2R2MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 93mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.2 A
на замовлення 126000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.1 грн
6000+ 3.71 грн
15000+ 3.6 грн
30000+ 3.27 грн
75000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010GL2R2MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 93mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 2.6A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 2.2 µH, Current Rating (Amps): 2.2 A.

Інші пропозиції CIGW252010GL2R2MNE за ціною від 3.33 грн до 11.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CIGW252010GL2R2MNE CIGW252010GL2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GL2R2MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 93mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.2 A
на замовлення 131904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.81 грн
33+ 8.6 грн
36+ 7.88 грн
50+ 6.54 грн
100+ 5.72 грн
250+ 5.45 грн
500+ 5.04 грн
1000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 27
CIGW252010GL2R2MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems_s_a0002828269_1-2288696.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 85558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.58 грн
40+ 7.73 грн
100+ 5.33 грн
1000+ 4.06 грн
3000+ 3.6 грн
9000+ 3.46 грн
24000+ 3.33 грн
Мінімальне замовлення: 27