CIGW252010GL4R7MNE

CIGW252010GL4R7MNE Samsung Electro-Mechanics


Power_Inductor.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 216MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 216mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.4 A
на замовлення 321000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.55 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010GL4R7MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 216MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 216mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 1.7A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 4.7 µH, Current Rating (Amps): 1.4 A.

Інші пропозиції CIGW252010GL4R7MNE за ціною від 8.15 грн до 27.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CIGW252010GL4R7MNE CIGW252010GL4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics Power_Inductor.pdf Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 216MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 216mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.4 A
на замовлення 323637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
16+19.27 грн
25+17.46 грн
50+15.18 грн
100+14.08 грн
250+12.72 грн
500+11.59 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CIGW252010GL4R7MNE CIGW252010GL4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems_s_a0006918018_1-2288566.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,4.7uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 91167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.66 грн
19+17.89 грн
100+12.04 грн
1000+10.72 грн
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CIGW252010GL4R7MNE CIGW252010GL4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics cigw252010gl4r7mne.pdf Inductor Power Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.4A 0.216Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.