CIGW252010GLR47MNE

CIGW252010GLR47MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGW252010GLR47MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 470NH 5.9A 20MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 20mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.5A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 5.9 A
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.76 грн
6000+8.86 грн
9000+8.56 грн
15000+7.69 грн
21000+7.48 грн
30000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010GLR47MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 470NH 5.9A 20MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 20mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 5.5A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 470 nH, Current Rating (Amps): 5.9 A.

Інші пропозиції CIGW252010GLR47MNE за ціною від 9.40 грн до 27.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CIGW252010GLR47MNE CIGW252010GLR47MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GLR47MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 470NH 5.9A 20MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 20mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.5A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 5.9 A
на замовлення 33506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.68 грн
21+15.24 грн
100+12.55 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
CIGW252010GLR47MNE CIGW252010GLR47MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics sems-s-a0006918056-1.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,0.47uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 59720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.41 грн
16+21.97 грн
25+17.66 грн
100+14.25 грн
250+13.80 грн
1000+10.46 грн
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.