CIL21J1R8KNE SAMSUNGEM
Виробник: SAMSUNGEMInductor RF Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIL21J1R8KNE SAMSUNGEM
Description: FIXED IND 1.8UH 50MA 400MOHM SMD, Tolerance: ±10%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0805 (2012 Metric), Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, DC Resistance (DCR): 400mOhm Max, Q @ Freq: 45 @ 10MHz, Frequency - Self Resonant: 55MHz, Material - Core: Ferrite, Inductance Frequency - Test: 10 MHz, Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric), Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm), Inductance: 1.8 µH, Current Rating (Amps): 50 mA.
Інші пропозиції CIL21J1R8KNE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| CIL21J1R8KNE |
|
на замовлення 6680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| CIL21J1R8KNE |
0805L |
на замовлення 13360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| CIL21J1R8KNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 1.8UH 50MA 400MOHM SMD Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C DC Resistance (DCR): 400mOhm Max Q @ Freq: 45 @ 10MHz Frequency - Self Resonant: 55MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 10 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm) Inductance: 1.8 µH Current Rating (Amps): 50 mA |
товар відсутній |