Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > CJ3139KDW-G
CJ3139KDW-G

CJ3139KDW-G Comchip Technology

QW-BTR52%20CJ3139KDW-G%20RevB.pdf
Виробник: Comchip Technology
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
11+28.12 грн
100+18.85 грн
500+13.42 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CJ3139KDW-G Comchip Technology

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції CJ3139KDW-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CJ3139KDW-G CJ3139KDW-G Comchip Technology QW-BTR52%20CJ3139KDW-G%20RevB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CJ3139KDW-G CJ3139KDW-G Comchip Technology CJ3139KDW_G_RevA829375.pdf MOSFETs MOSFET DUAL P-CHANNEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CJ3139KDW-G QW-BTR52%20CJ3139KDW-G%20RevB.pdf
CJ3139KDW-G
Виробник: Comchip Technology
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CJ3139KDW-G CJ3139KDW_G_RevA829375.pdf
CJ3139KDW-G
Виробник: Comchip Technology
MOSFETs MOSFET DUAL P-CHANNEL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.