Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > CLF1G0060S-10U
CLF1G0060S-10U

CLF1G0060S-10U NXP Semiconductors

CLF1G0060-10_1G0060S-10-527548.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors Broadband RF power GaN HEMT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CLF1G0060S-10U NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-1227B, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz, Power - Output: 10W, Gain: 14.5dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: SOT1227B, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 50 mA.

Інші пропозиції CLF1G0060S-10U

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CLF1G0060S-10U CLF1G0060S-10U Ampleon USA Inc. CLF1G0060-10_1G0060S-10.pdf Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-1227B
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz
Power - Output: 10W
Gain: 14.5dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: SOT1227B
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLF1G0060S-10U CLF1G0060-10_1G0060S-10.pdf
CLF1G0060S-10U
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-1227B
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz
Power - Output: 10W
Gain: 14.5dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: SOT1227B
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.