Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CMLDM3757 TR PBFREE
CMLDM3757 TR PBFREE

CMLDM3757 TR PBFREE Central Semiconductor Corp

CMLDM3757.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CMLDM3757 TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції CMLDM3757 TR PBFREE за ціною від 15.17 грн до 43.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CMLDM3757 TR PBFREE CMLDM3757 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLDM3757.PDF Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 23895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+35.63 грн
100+26.63 грн
500+19.64 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMLDM3757 TR PBFREE CMLDM3757 TR PBFREE Central Semiconductor CMLDM3757.PDF MOSFETs N&P Chan Comp Mosfet's
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CMLDM3757 TR PBFREE CMLDM3757.PDF
CMLDM3757 TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 23895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.11 грн
10+35.63 грн
100+26.63 грн
500+19.64 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMLDM3757 TR PBFREE CMLDM3757.PDF
CMLDM3757 TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
MOSFETs N&P Chan Comp Mosfet's
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.