
CMRDM3575 TR PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 32.73 грн |
13+ | 27.23 грн |
100+ | 16.50 грн |
500+ | 12.85 грн |
1000+ | 9.33 грн |
2500+ | 9.19 грн |
8000+ | 8.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CMRDM3575 TR PBFREE Central Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 125mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.
Інші пропозиції CMRDM3575 TR PBFREE за ціною від 10.73 грн до 33.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CMRDM3575 TR PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CMRDM3575 TR PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
товару немає в наявності |