на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.50 грн |
| 10+ | 35.80 грн |
| 100+ | 21.70 грн |
| 500+ | 16.91 грн |
| 1000+ | 13.79 грн |
| 3000+ | 10.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CMS25N03V8A-HF Comchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції CMS25N03V8A-HF за ціною від 13.18 грн до 38.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMS25N03V8A-HF | Виробник : Comchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CMS25N03V8A-HF | Виробник : Comchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |